В UT Dallas создан двумерный резонансный туннельный диод

Сотрудники Инженерной и компьютерной школы Эрика Джонссона Техасского университета (UT Dallas) в кооперации с международной командой учёных и инженеров сделали открытие, способное оказать огромное воздействие на разработку наноэлектронных схем и устройств.

В недавней статье, вышедшей в Nature Communications, они впервые показали, что пленки, составленные из слоёв материалов атомарной толщины, могут демонстрировать при комнатной температуре уникальное транспортное явление, отрицательное дифференциальное сопротивление (negative differential resistance, NDR).

Эффект NDR был обнаружен, когда они приложили напряжение к структуре, образованной из атомарных слоёв нескольких различных дихалькогенидов переходных металлом (TMD). Внимание учёных привлекли отчётливые пики и плато на вольтамперной характеристике, которая должна была демонстрировать непрерывный рост тока с напряжением.

Пытаясь объяснить полученный результат, авторы пришли к выводу, что они создали двумерную версию резонансного туннельного диода — самую тонкую в мире разновидность этого квантового устройства, вдобавок, работающую при комнатной температуре. Последнее обстоятельство особенно важно, так как делает производство практичных двумерных интегрированных схем осуществимым в промышленных масштабах.

Ученые UT Dallas планируют продолжить совершенствовать процесс послойного выращивания плёнок TMD и рассчитывают добиться улучшения их характеристик для будущих приложений.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI