В Техасе разработано запоминающее устройство размером в один нанометр
Исследователи из Техасского университета в городе Остин (UT) смогли существенно уменьшить размеры так называемого атомристора — атомарно-тонкой памяти, созданной ими два года назад. В журнале Nature Nanotechnology они рассказали о своей новой работе, результатом которой стало самое миниатюрное из известных запоминающих устройств — площадью всего в один квадратный нанометр.
Эта версия мемристора, разработанная с использованием новейшего оборудования Окриджской национальной лаборатории, позволяет достичь ёмкости примерно 25 терабит на квадратный сантиметр, что на два порядка выше плотности памяти, обеспечиваемой коммерческими флэш-технологиями.
Авторы использовали, в качестве основного наноматериала в своем исследовании дисульфид молибдена (MoS2), в котором были созданы дефекты (дырки или вакансии). «Когда один дополнительный атом металла входит в эту наноразмерную дыру и заполняет ее, он передаëт материалу часть своей проводимости, и это приводит к изменению или эффекту памяти», — сказал Деджи Акинванде (Deji Akinwande), профессор кафедры электротехники и вычислительной техники UT.
По его мнению, этот механизм должен работать и для сотен других аналогичных атомарно-тонких материалов.
«Результаты, полученные в этой работе, открывают путь для разработки приложений будущего поколения, представляющих интерес для Министерства обороны, таких как сверхплотное хранилище, нейроморфные компьютеры, системы радиочастотной связи и многое другое», — заявил Пани Варанаси (Pani Varanasi), менеджер программ Исследовательского управления армии США (ARO), финансировавшего это исследование.