| 0 |
|
Сотрудники лаборатории технологии микросистем Массачусетского технологического института (MIT) продемонстрировали возможность создания металл-оксидного полевого транзистора (MOSFET) из арсенида индия галлия (InGaAs) с типоразмером всего 22 нм. Отличные логические характеристики полученного устройства позволяют считать данный материал перспективным кандидатом на место кремния в будущих поколениях вычислительных устройств.
Приступая к изготовлению транзистора, исследователи сначала вырастили тонкий слой InGaAs, используя отработанную в производстве полупроводников технологию молекулярной лучевой эпитаксии. Атомы индия, галлия и мышьяка вступали в реакцию в вакууме с образованием кристаллического вещества. Затем был нанесен слой молибдена (контактного металла для источника и стока), и на образовавшейся основе, с помощью электроннолучевой литографии , «нарисована» тонкая структура транзистора. После вырезания и удаления ненужных фрагментов материала в образовавшемся мельчайшем зазоре был создан слой оксида и получен затвор, зажатый между двумя другими электродами.
Коллектив MIT представил свою работу на этой неделе в Сан-Франциско (штат Калифорния) на конференции International Electron Devices Meeting.
На следующем этапе проекта, осуществляемого при поддержке DARPA, ученые займутся дальнейшим улучшением электрических характеристик транзистора. Окончательной их целью является уменьшение длины затвора до 10 и менее нанометров.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
