`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

В Корее создана первая гибкая память с изменением фазы

0 
 

В Корее создана первая гибкая память с изменением фазы

Фазовая память (Phase change random access memory, PRAM) сегодня является одним из вероятных кандидатов на роль энергонезависимой памяти следующего поколения для гибкой и носимой электроники. Ключевое требование к памяти для таких приложений – уменьшение рабочего тока. Достичь этого можно уменьшив размер ячейки памяти, как в коммерческой стандартной PRAM, однако схемы на гибких подложках крайне трудно масштабировать до наноуровня из-за их эластичности и фотолитографических ограничений для пластика. Поэтому, практичная гибкая PRAM до сих пор не создана.

Недавно, коллектив отдела материаловедения корейского института KAIST разработал первую гибкую PRAM с силикатной наноструктурой на основе самоорганизующихся блочных сополимеров (BCP). Это устройство использует менее четверти тока обычной PRAM и размещается на пластиковой подложке.

BCP это смесь двух разных полимеров, которые при плазменной обработке имеют тенденцию образовывать упорядоченные массивы с детализацией менее 20 нм. Силикатные наноструктуры локализовали объемные изменения фазовых материалов, что и привело к существенному снижению расхода энергии. Кроме того, инженеры встроили в фазовую память сверхтонкие кремниевые диоды, что позволило подавить помехи между ячейками и реализовать произвольный доступ. Об этом достижении они сообщили в мартовской публикации в журнале ACS Nano.

Другая статья, вышедшая в этом журнале в июне, посвящена альтернативному способу получения сверхнизковольтной PRAM. Он заключается в использовании вместо обычных резисторных нагревателей самоорганизующихся проводящих волокон. Такие волокна с характерным размером менее 10 нм создаются без применения дорогостоящей нанолитографии и генерируют достаточно тепла для переключения фазы материала в нанообъеме. Ток записи составляет менее 20 мкА, это самое низкое значение среди устройств с изменением фазы.

По заявлению авторов работы, продемонстрированная ими простая и инновационная методология создает прочный базис для развертывания коммерческого производства гибкой памяти PRAM.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT