| +11 голос |
|
По сообщению агентства Xinhua, Институт микроэлектроники китайской Академии наук (Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, IMECAS) в Пекине объявил о разработке техпроцесса по выпуску MOSFET-транзисторов с металлическими затворами high-K с допуском 22 нм. Никаких деталей об этом техпроцессе не сообщается, лишь отмечают, что эта разработка позволит Китаю освоить выпуск самых современных микросхем с минимальным энергопотреблением, которые можно будет успешно использовать в мобильных устройствах типа смартфонов и планшетов. Кроме того, наличие собственной микроэлектроники позволит сэкономить стране существенные средства на закупке зарубежных чипов.
Пока речь идет об академическом проекте и прототипе, но уже такое достижение сократило отставание китайской микроэлектронной промышленности от Запада до двух лет. Напомним, что в настоящее время Intel выпускает процессоры на базе техпроцесса FinFET с допуском 22 нм. А Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. в ближайшее время планирует приступить к коммерческому производству чипов на базе техпроцесса с допуском 20 нм с использованием планарных CMOS. Хотя в Китае уже освоили коммерческий 40-нанометровый CMOS техпроцесс.
По данным Xinhua, нынешняя разработка осуществлялась с 2009 г и является одним из крупнейших национальных научных проектов.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
