UMC совершенствует решения на базе технологии High-k/Metal-Gate

Тайваньская компания UMC объявила, что микросхемы SRAM, созданные на базе технологии high-k/metal-gate (HK/MG) прошли проверочные испытания и теперь могут производиться с использованием техпроцесса 45 нм.

Отмечается, что данное достижение демонстрирует надежность процесса и является важным шагом на пути к выпуску стабильных и быстродействующих чипов следующего поколения с уровнем детализации 32/28 нм.

Напомним, что в октябре UMC объявила о выпуске первой полнофункциональной микросхемы SRAM с уровнем детализации 28 нм. Новые устройства базируются на разработанной этой компанией технологии LL (Low-Leakage), кроме того, при их производстве применяется метод усовершенствованной иммерсионной литографии (double-patterning immersion lithography) и напряженный кремний (strained silicon). При этом площадь одной шеститранзисторной ячейки SRAM составляет всего 0,122 мкм².