ULTRARAM претендует на звание универсальной памяти

Физики из Ланкастерского Университета (Великобритания) изобрели энергонезависимую память ULTRARAM, которая должна стать воплощением так называемой «универсальной памяти», соединяющей в себе лучшие качества устройств DRAM и флэш.

В статье, опубликованной в январском выпуске IEEE Transactions on Electron Devices, они показали, как индивидуальные ячейки новой памяти можно объединять в массивы для получения RAM. По предварительным оценкам, такие чипы должны работать столь же быстро, как и DRAM, и превосходить последнюю по экономичности в 100 раз в дополнение к преимуществу энергонезависимости.

Команде из Ланкастера удалось найти подход к парадоксу универсальной памяти благодаря использованию резонансного туннелирования — квантовомеханического эффекта, делающего барьер прозрачным при приложении небольшого электрического напряжения.

Статья рассказывает о выполненных британскими учёными сложных симуляциях этого процесса и предлагает механизм считывания ячеек памяти, который должен увеличить на много порядков контраст между логическими состояниями. Также показано, что резкий переход между прозрачным и непрозрачным барьером упрощает получение компактных архитектур с высокой битовой плотностью.

На очереди у учёных создание технологий производства чипов и модулей ULTRARAM, разработка считывающей логики, масштабирование устройств и, наконец, воплощение их в кремнии.