0 |
Ученые Национального института стандартов и технологии (NIST) нашли способ надежно измерять относительно низкие уровни сжатия и растяжения (до 10 нм) в полупроводниковых устройствах.
Механические деформации в кристаллах происходят из-за смещения атомов кристаллических решеток, это сложное, но не всегда нежелательное явление. Деформации несущей структуры светодиодов или лазеров могут сократить их время жизни и изменить цвет излучения. В микроэлектромеханических системах они приводят к перекосам и трещинам компонентов. С другой стороны, современные микросхемы зачастую специально содержат элементы с нанодеформациями, это дает возможность повысить скорость транзисторов без внесения дополнительных изменений в схему.
Дальнейшая миниатюризация увеличивает важность управления деформацией, а широко используемые методы ее оценки на малых компонентах микросхем зачастую дают противоречивые результаты.
Сотрудники NIST установили, что метод EBSD, определяющий деформированность кристаллической решетки на основе дифракции отраженных от нее электронов, хорошо работает на глубине 20–30 нм от поверхности и может выявить отклонение от нормы даже в 10 нм. Метод конфокальной Раман-микроскопии (confocal Raman microscopy, CRM), измеряющий изменения частоты фотонов, воздействующих на атомные связи кристалла, более грубый, зато может использоваться для оценки глубинных слоев, до 1 мкм от поверхности. Варьируя длину волны фотонов и положение фокуса, CRM можно настроить для работы с верхними слоями кристалла – в этом случае результаты будут близки к EBSD. Наиболее же надежные результаты дает последовательное проведение измерений обоими методами.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |