Ученые продемонстрировали самый быстрый на сегодня графеновый транзистор

9 февраль, 2010 - 19:02Леонід Бараш

В недавно опубликованной в журнале Science статье исследователи из IBM представили графеновый транзистор с максимальной на данный момент частотой, достигнутой для графеновых устройств, - 100 ГГц.

Рекорд был установлен на подложке с эпитаксиальным слоем. Однородные и высококачественные графеновые подложки были синтезированы с помощью термического разложения карбида кремния (SiC). Сам графеновый транзистор использовал металлический верхний затвор и новый стек изолятора, включающий полимер и окисел с высокой диэлектрической константой. Длина затвора составляла 240 нм, оставляя большие возможности для дальнейшего повышения производительности.

Ученые продемонстрировали самый быстрый на сегодня графеновый транзистор

Заслуживает внимания тот факт, что частота графенового устройства уже превышает предельную частоту современных кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора (около 40 ГГц). Подобная производительность была достигнута у транзисторов, базировавшихся на графене, полученном из натурального графита, что доказывает, что высокая производительность может быть получена и на графене различного происхождения. Ранее командой были продемонстрированы графеновые транзисторы с предельной частотой 26 ГГц с использованием графеновых пластинок, отслоенных от натурального графита.