В недавно опубликованной в журнале Science статье исследователи из IBM представили графеновый транзистор с максимальной на данный момент частотой, достигнутой для графеновых устройств, - 100 ГГц.
Рекорд был установлен на подложке с эпитаксиальным слоем. Однородные и высококачественные графеновые подложки были синтезированы с помощью термического разложения карбида кремния (SiC). Сам графеновый транзистор использовал металлический верхний затвор и новый стек изолятора, включающий полимер и окисел с высокой диэлектрической константой. Длина затвора составляла 240 нм, оставляя большие возможности для дальнейшего повышения производительности.
Заслуживает внимания тот факт, что частота графенового устройства уже превышает предельную частоту современных кремниевых транзисторов с такой же длиной затвора (около 40 ГГц). Подобная производительность была достигнута у транзисторов, базировавшихся на графене, полученном из натурального графита, что доказывает, что высокая производительность может быть получена и на графене различного происхождения. Ранее командой были продемонстрированы графеновые транзисторы с предельной частотой 26 ГГц с использованием графеновых пластинок, отслоенных от натурального графита.