Ученые МТИ предложили способ построения гибридных микрочипов

17 сентябрь, 2009 - 10:05


Один из способов преодолеть естественные ограничения по размеру и повысить быстродействие микрочипов – использовать новые материалы для транзисторов. Группа разработчиков под руководством Томаса Палашеса (Tomas Palacios) обратила внимание, что, как правило, из транзисторов на микрочипе только 5–10% действительно производят вычисления и должны работать как можно быстрее.

Ученые предложили использовать в микросхеме два типа материалов: большая часть транзисторов выполняется из кремния, а для сверхбыстрых применяется нитрид галлия. Ранее предпринимались попытки выращивать слой высокопроизводительного полупроводника на поверхности кремниевого чипа. Гибридный чип был создан иным путем – слой нитрида галлия внедрялся в стандартный кремниевый субстрат. Таким образом удалось получить не только более быстрый чип, но и более эффективный (значительная часть транзисторов работает с относительно невысокой скоростью, и их энергопотребление меньше).

Новая технология может использоваться и для других приложений, например создания гибридных чипов с лазерными и электронными компонентами. Более того, гибридные чипы можно производить по стандартным технологиям, широко применяемым для коммерческого производства кремниевых микросхем.

Результаты исследованй были анонсированы в июне на конференции Device Research Conference и опубликованы в октябрьском номере журнала IEEE Electron Device Letters.