TSMC завершает разработку 10 нм техпроцесса

TSMC объявила о завершении в этом квартале разработки 10 нм техпроцесса и начале опытного производства микросхем следующей весной. Ранее компания сообщала, что она уже работает с клиентами над конструкцией 10 нм чипов, которые пойдут в серию в конце 2016 г., но сроки массового производства будут сдвинуты, так как заказчики решили не форсировать переход на столь тонкий техпроцесс.

10 нм техпроцесс компании CLN10FF использует технологию производства транзисторов с вертикально расположенным затвором 3D FinFET. Новинка должна увеличить плотность микросхем на 110% по сравнению с техпроцессом 16 нм FinFET+, что даст возможность производить чипы с количеством транзисторов более 25 млрд. Частотный потенциал процессоров при этом вырастет на 20% при сравнимом энергопотреблении, а энергоэффективность повысится на 40%.

Ранее TSMC заявляла, что начнет применять 7 нм техпроцесс для производства чипов уже в 2017 г. Учитывая сдвиг планов по внедрению 10 нм технологии, пока непонятно, насколько эти планы актуальны.