TSMC опередит Intel во внедрении 3D-полупроводников?

В подготовленной Taiwan External Trade Development Council (TAITRA) статье цитируется анонимный источник, утверждающий, что этот тайваньский производитель еще до конца текущего года планирует запустить в промышленных масштабах производство полупроводников с 3D-интерконнектами.

Впрочем, обе компании по-разному понимают 3D. Если в случае Intel канал полевого транзистора выступает над поверхностью кремниевой подложки, то в TSMC под объемностью подразумевают вертикальные связи (through silicon vias,TSVs), проходящие через ядро для связи разных уровней чипа в рамках одного пакета.

По приведенным в материале TAITRA данным, применение 3D-технологии позволит увеличить плотность транзисторов на чипе едва ли ни в 1000 раз (!). Кроме того, это позволит снизить на 50% энергопотребление.

Как заявил главный вице-президент TSMC по R&D Санг-Ю Чианг (Shang-Yi Chiang), компания плотно работает с партнерами, которые занимаются упаковкой чипов и разработкой ПО для их дизайна, чтобы ускорить коммерциализацию этой 3D-технологии.