Компания TSMC официально сообщила о запуске в массовый режим производства технологии выпуска полупроводников следущего поколения по нормам 7 нм.
Технологический процесс, который в компании называют N7+, позволяет на 15-20% поднять плотность упаковки транзисторов на кристалле, а также снизить потребление энергии почти на 10%.
Новая технология позволит среди прочего и поднять эффективность линий по выпуску пластин и сократить цикл производства. Это крайне важно в контексте растущего спроса.
Как отмечают в комании, использование EUV-литографии позволяет сокращать масштабы упаковки транзисторов, осваивая нанометровые нормы. EUV-инструменты TSMC достигли необходимого уровня, обеспечивая целевые показатели для крупносерийного производства и выходной мощности более 250 Вт для повседневных операций.
TSMC также заявила о планах начать в первом квартале выпуск пластин в тестовом режиме по технологии N6 и к концу года перевести это производство в массовый режим. Следующее поколение техпроцесса должно обеспечить прирост плотности размещения транзисторов на 18%. Для партнеров TSMC не потребуется заново адаптироваться к новым процессам, поскольку N6 полностью совместим с N7.