TSMC готовится к внедрению 28-нанометрового процесса

По информации DigiTimes, на конференции Design Automation Conference (DAC) в июле компания TSMC планирует представить Reference Flow 10.0 методологию разработки систем на чипе для технологического процесса с уровнем детализации 28 нм.

Таким образом, тайваньский чипмейкер демонстрирует, что подготовка к внедрению нового поколения полупроводниковой технологии ведется согласно ранее анонсированному графику. В сентябре прошлого года TSMC объявила, что массовое производство продукции по технологии 28 нм начнется в первом квартале 2010 г. Заказчикам будут предложены опции применения материалов HKMG (high-k metal gate) и оксинитрида кремния (SiON).

В настоящее время компания успешно осуществила внедрение 40-нанометрового процесса, поддерживаемого ее спецификациями Reference Flow 9.0. По предварительным оценкам, 40-нанометровая продукция к концу года будет приносить 8-10% доходов TSMC, а ко II кварталу 2010 г. ее доля возрастет до 15-20%.