TSMC готовит площадку для завода по выпуску 2 нм чипов

Как сообщает ЕеnewsEurope, ссылаясь на тайваньское издание Commercial Times, руководство The Hsinchu Science Park в спешном порядке рассматривает воздействие на окружающую среду второй фазы проекта по расширению территории Баошань для увеличения производственных мощностей TSMC.

Речь идет о получении дополнительных 90,02 га для строительства нового полупроводникового завода по выпуску продукции с нормами 2 нм. Ожидается, что период с момента покупки земли до старта производства может занять 60 месяцев.

Таким образом TSMC готовит площадку для расширения производства с прицелом на 2 нм, параллельно с этим идут работы над 3-нанометровой технологией, которая будет представлена в следующем году, а в массовый режим выйдет годом спустя.

Вопросы по срокам выхода на 2 нм нормы производства, требующие другого типа транзистора и новые материалы, тайваньская компания пока не комментирует.