Трехслойный CMOS-датчик Sony для смартфонов может снимать со скоростью 1000 к/с

8 февраля 2017 г., 16:12

Во вторник, на международной конференции по полупроводниковым схемам ICSSC в Сан-Франциско (штат Калифорния) Sony Semiconductor Solutions представила первый в индустрии КМОП-сенсор изображений, в котором между двумя слоями – пикселей с обратной подсветкой и схемой для обработки сигналов – добавлен третий слой DRAM (1 Гб), играющий роль быстродействующей кэш-памяти. Кроме того, для улучшения производительности вместо двух- применена четырехкаскадная схема аналого-цифрового преобразователя видеосигнала.

Эти усовершенствования обеспечивают новому 21,2-мегапиксельному датчику для смартфонных камер Sony восьмикратное увеличение скорости считывания по сравнению с конкурентами, что открывает возможности видеосъёмки 1080p с частотой 1000 кадров в секунду (у Apple iPhone 7 и Google Pixel – 120 fps).

Искажения в фокальной плоскости, возникающие при фотосъемке движущихся объектов на камеру смартфона, не имеющую механического затвора, в данном случае сводятся к минимуму: для получения кадра с 19,3 млн пикселей новому сенсору достаточно 1/120 с. Это вчетверо быстрее, чем у конкурентов.

Для того, чтобы не пропустить нужное событие анонсированный чип предоставляет возможность настройки на автоматическое начало съёмки при внезапном движении объекта.

Apple (как и Google) в свои смартфоны устанавливает сенсоры изображений производства Sony, поэтому логично ожидать в ближайшие год или два появления iPhone с необычно «скорострельными» камерами и исчезновения младших конфигураций с 32 ГБ флэш-памяти.