Toshiba выпустила модули 19 нм NAND-памяти с поддержкой eMMC 5.0

Toshiba выпустила новые модули флэш-памяти NAND, произведенные по 19 нм технологии второго поколения. Модули предназначены для использования в смартфонах, планшетах и цифровых камерах.

Компания представила на базе новых чипов встраиваемые компактные модули памяти размером 11,5×13×1 мм и объемом 16 и 32 ГБ, в который интегрировано четыре 19 нм микросхемы памяти объемом по 32 или 64 Гб и выделенный контроллер. Позже будет доступна полная линейка встраиваемых модулей памяти объемом от 4 до 128 ГБ.

Новинка совместима с последним стандартом eMMC 5.0, опубликованным JEDEC только в сентябре этого года, и обеспечивает высокую скорость чтения и записи также благодаря применению нового стандарта высокоскоростного интерфейса HS400.

Серийное производство новых модулей памяти начнется в ноябре.