Toshiba создала модуль памяти NAND емкостью 64 ГБ

Компания выпустила устройство флэш-памяти NAND емкостью 64 ГБ, совместимое со стандартом e-MMC 4.4. Оно включает в себя отдельный контроллер и 16 чипов емкостью 32 Гб каждый, которые изготовлены по нормам 32 нм и имеют толщину, уменьшенную до 30 мкм.

Представленные модули могут предлагаться самостоятельно либо вместе с DRAM как часть MCP. Они предназначены для смартфонов, нетбуков и цифровых видеокамер. Как сообщает производитель, за счет применения новинок емкость встроенной памяти iPhone можно увеличить до 64 ГБ, а iPod touch – до 128 ГБ.

Высокоемкие модули NAND Toshiba уже доступны разработчикам мобильных устройств в виде тестовых образцов, массовый выпуск запланирован на I квартал 2010 г.