Тошиба разрабатывает передовой кремниевый нанопроволочный транзистор

Корпорация Тошиба анонсировала 15 июня, что она разработала технологию для нанопроволочного транзистора, основного кандидата для БИС 16-нанометровой генерации. За счет уменьшения паразитного сопротивления был достигнут уровень тока в состоянии «включено» 1 мА/мкм, самый высокий в мире для нанопроволочных транзисторов. Это является существенным шагом навстречу практическому применению нанопроволочных транзисторов. Достижение было представлено 17 июня на Симпозиуме по технологиям СБИС, проходившем на Гавайях.

Когда размеры современных планарных транзисторов становятся слишком малыми, ток утечки между истоком и стоком превращается в критическую проблему с точки зрения надежности цепей. Для ее преодоления исследуются транзисторы с трехмерной структурой, в том числе и кремниевые нанопролочные транзисторы. В них можно подавить ток утечки и достичь короткоканальных операций, поскольку их проволокоподобные кремниевые каналы (нанопроволочные каналы) эффективно управляются затвором. Однако паразитное сопротивление в сформированном канале исток-сток, в особенности в области под боковой стенкой затвора, уменьшает ток во включенном состоянии.

Тошиба преодолела эту проблему путем оптимизации изготовления затвора и значительного уменьшения толщины его стенки – с 30 нм до 10 нм. Низкое паразитное сопротивление было достигнуто эпитаксиального выращивания кремниевых истока/стока тонкой стенкой затвора, что привело к увеличению на 40% тока в состоянии «включено».

В целом Тошиба продемонстрировала лучший в индустрии уровень тока в состоянии «включено» - 1 мА/мкм при уровне тока в состоянии «выключено» 100 нА/мкм, то есть 75% увеличение уровня первого при том же уровне второго.