Тонкая настройка может улучшить головки жестких дисков

Магнитные материалы для головок жестких дисков используют тот же туннельный магнитный переход, что и MRAM. Национальный институт стандартов и технологии (NIST) объявил об изобретении процесса для тонкой настройки магнитного туннельного перехода для HDD следующего поколения, который также может быть использован в проекте IBM и TDK, объявленном компаниями недавно.

В каждой новой генерации полупроводниковых приборов инженеры все больше и больше уменьшают размеры устройств, что, к сожалению, изменяет сопротивление изолятора – так называемого буферного слоя – особенно, когда толщина пленки становится менее 1 нм.

Это явление характерно и для записывающих головок жестких дисков, которые сегодня имеют либо слишком большое сопротивление, либо слишком маленькое, при этом промежуточных значений сопротивления достичь не удается. Однако NIST объявил о том, что нашел решение, которое позволяет инженерам выполнять тонкую настройку сопротивления буферных пленок безотносительно к их толщине и перенастроить сопротивление буферного слоя от значений, характерных для проводников до значений, присущих изоляторам, с помощью композитных материалов.

Новый процесс направляет контролируемый пучок ионов ксенона, каждый из которых имеет потенциальную энергию 50 тыс. электрон-вольт, на изолирующую пленку, точно перфорируя ее и понижая сопротивление. Процесс, который в типичном случае создает от 1 до 100 тыс. тонких отверстий в изолирующей пленке окисла алюминия одной записывающей головки жесткого диска, позволяет устанавливать значение сопротивления между нулем и бесконечностью.