ThinFilm и PARC продемонстрировали напечатанную CMOS-память

1 ноябрь, 2011 - 16:54

Норвежская компания ThinFilm Electronics ASA и Palo Alto Research Center (PARC) продемонстрировали совместно разработанную технологию печати энергонезависимой ферроэлектрической полимерной памяти, где цепи типа p и n были выполнены из органических материалов.

Эту память создавали с прицелом использовать в устройствах, подключаемых к Интернету и не требующих высокой производительности (в соответствии с концепцией «Интернет вещей»), поэтому главным было добиться невысокой стоимости решения и возможности наносить электронные схемы на любых поверхностях. Уже сегодня появляются продукты с установленными на них «умными метками» (smart tags), для работы которых по принципу RFID необходима энергонезависимая память.
ThinFilm и PARC продемонстрировали напечатанную CMOS-память
Пока нет данных ни об объеме массива напечатанной памяти, ни о размере отдельных ячеек, ни о параметрах производительности, но можно догадаться, что она гораздо ниже, чем у аналогов на базе кремниевой электроники.

В активе компании ThinFilm в настоящее время серия 20-разрядной памяти, которая предназначается для игрушек, карт лояльности и информационных киосков, и адресуемая память, разработка которой должна завершиться в 2012 году.

По мнению главы ThinFilm Давора Сутижа (Davor Sutija), совместная разработка с PARC является значительным шагом вперед в области печатной электроники, так как позволит объединить в ее в единое решение с датчиками и антеннами, получив «умные приложения». К этому классу относят, например, метки c поддержкой NFC (Near Field Communications), позволяющие общаться устройствам напрямую друг с другом. Таким образом, можно реализовать постоянное автоматическое отслеживание температуры хранения продуктов питания или лекарств не только на уровне паллеты, но и отдельной упаковки.