Технология Fujitsu увеличивает плотность MRAM

Fujitsu Laboratories объявила о разработке новой схемы ячейки для памяти MRAM с передачей спинового момента (spin-torque-transfer), которая изменяет привычный порядок магнитного туннельного перехода и благодаря этому позволяет уменьшить площадь ячейки на 60% и достичь более высокой степени интеграции.

Новая память spin-torque-transfer MRAM позиционируется как энергонезависимая память следующего поколения с произвольным доступом, призванная заменить используемые в настоящее время чипы NOR flash. Применение MRAM позволит сделать мобильные телефоны и КПК более компактными.

Spin-torque-transfer MRAM использует эффект переноса спинового момента для изменения полярности магнитных материалов, пропуская сквозь них электрический ток. Технология магниторезистивной памяти (MRAM) разрабатывается уже довольно долго, но пока широко не представлена на рынке. Однако её сторонники верят, что благодаря ряду преимуществ, она сможет заменить все типы компьютерной памяти (включая DRAM и флэш) и стать универсальной компьютерной памятью.