Инженер Университета Пердью (штат Индиана) Тиллманн Кубис (Tillmann Kubis) создал технологию CasFET, или каскадного полевого транзистора. Ключевым её аспектом является сверхрешётка, перпендикулярная направлению транзисторного транспорта и делающая возможными переключаемые каскадные состояния.
Эта инновация может помочь полупроводниковой промышленности разрабатывать транзисторы меньшего размера, потребляющие меньше энергии и требующие меньшего напряжения для включения/выключения. Результатом может стать появление более совершенных и мощных поколений центральных процессоров, которые смогут выполнять больше операций с меньшими затратами энергии.
Говоря о проделанной работе, Кубис отметил, что самым сложным в ней было, удовлетворить все требования к рабочим характеристикам нанотранзисторов.
«Им нужен достаточно высокий ток включения и достаточно низкий ток отключения с достаточно небольшой разницей, чтобы переключаться между ними, — сказал он. — Эти проблемы значительно замедлили масштабирование транзисторов последние восемь лет, что делает всё более сложным создание новых мощных поколений ЦП».
В разработанном ими CasFET, Кубис и его коллега Джеймс Чарльз (James Charles) применили новый метод переключения, который близок к эффектам, наблюдаемым в квантовых каскадных лазерах.
«CasFET — это более общий подход, чем транзисторная технология, которую мы разработали несколько лет назад. Он даёт больше гибкости в выборе материалов и настроек напряжения, — рассказал Кубис. — С технической точки зрения CasFET не требует межполосного туннелирования. Благодаря этому проектировщики полупроводниковых устройств могут разрабатывать транзисторы с более быстрым переключением и с улучшенной энергоэффективностью».
Авторы продолжают дорабатывать свой первый прототип каскадного транзистора. «Как только он выйдет на целевые показатели производительности, мы перейдём к определению окончательной конструкции прототипа CasFET», — заявил Кубис.
Бюро коммерциализации технологий Исследовательского фонда Пердью подало заявку на патентную защиту CasFET в Управление по патентам и товарным знакам США.