Технологические тренды Intel

19 январь, 2022 - 18:05Леонид Бараш

Корпорация Intel изложила свой путь к более чем 10-кратному увеличению плотности межсоединений в корпусах с гибридным соединением, увеличению площади транзисторов на 30-50% и новым технологиям квантовых вычислений на встрече IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).

«В Intel исследования и инновации, необходимые для продвижения закона Мура, никогда не прекращаются. На выставке IEDM наша исследовательская группа по компонентам поделится ключевыми достижениями в области создания революционных технологий обработки и упаковки для удовлетворения ненасытного спроса на мощные вычисления, от которых зависят наша промышленность и общество. Это результат неустанного труда наших лучших ученых и инженеров. Они по-прежнему находятся в авангарде инноваций для соблюдения закона Мура», — сказал Роберт Чау (Robert Chau), старший научный сотрудник Intel и генеральный менеджер по исследованиям компонентов.

Исследовательская группа компонентов работает в трех ключевых областях: технологии масштабирования для производства большего количества транзисторов; новые возможности кремния для увеличения мощности и памяти и исследование новых концепций в физике, чтобы революционизировать то, как мир выполняет вычисления.

Многие из текущих полупроводниковых продуктов Intel начались с работы Component Research, включая напряженный кремний, металлические затворы Hi-K, транзисторы FinFET, RibbonFET и упаковку, включая EMIB и Foveros Direct.

Исследователи компании наметили решения для проектирования, обработки и сборки межсоединений с гибридным соединением, увидев способ 10-кратного повышения плотности межсоединений в упаковке. Еще в июле Intel объявила о планах представить Foveros Direct, обеспечивающий бампинг менее 10 микрон (бампинг — это усовершенствованная технология обработки на уровне пластин, при которой «выпуклости» или «шарики» из припоя формируются на пластинах в форме цельной пластины до того, как пластина будет разделена на отдельные чипы. Недавнее развитие технологий позволило широко использовать этот процесс в современных приложениях бытовой электроники). Это обеспечивает увеличение плотности межсоединений для 3D-стеков на порядок. Чтобы экосистема могла воспользоваться преимуществами усовершенствованной упаковки, Intel также призывает к созданию новых отраслевых стандартов и процедур тестирования, позволяющих создать гибридную экосистему чипсетов.

Помимо своего универсального RibbonFET, Intel разрабатывает подход к объединению нескольких КМОП-транзисторов, целью которого является максимальное увеличение логического масштабирования на 30-50% для дальнейшего совершенствования закона Мура за счет установки большего количества транзисторов на квадратный миллиметр.

Технологические тренды Intel

Intel обращает внимание на эпоху ангстремов и квантовые вычисления в своих технологических тенденциях