Субструктурное намагничивание — путь к высокоемким накопителям данных

Возможность селективного перемагничивания микроструктуры лазерным лучом, продемонстрированная в Университете Неймегена (Нидерланды) сводным коллективом голландских, швейцарских и японских физиков, открывает перспективы для создания высокоемких регистрирующих сред.

В попытке улучшить скорость и пространственное разрешение магнитной записи они воздействовали на микроструктуру фемтосекундными лазерными импульсами. Это привело к неожиданному открытию, о котором и рассказывается в статье, опубликованной в журнале Nature Communications.

При довольно большом размере магнитного микроструктурного элемента, порядка пяти тысячных миллиметра, лазер не перемагничивал его однородно, но, из-за интерференции падающего и отраженного света, формировал рисунок с деталями субволнового масштаба.

Компьютерное моделирование подтвердило гипотезу о том, что форму перемагничиваемой области можно контролировать, изменяя конструкцию микроструктурных элементов.

«После открытия нашей группой в Неймегене возможности инвертировать намагниченность фемтосекундным лазерным импульсом, мы начали работать над уменьшением размеров переключаемой зоны, — рассказывает профессор Тео Райзинг (Theo Rasing). — Добиться этого можно двумя путями: уменьшая размер микроструктур или фокусируя лазер в меньшем пятне. Структурируя материал, мы установили, что субволновое переключение может достигаться даже в гораздо более крупных элементах».

Управляя зоной коммутации в таких элементах, в принципе, возможно сохранять в каждом из них больше одного бита информации, получая магнитные накопители с высокой скоростью записи и многократно увеличенной плотностью хранения данных.