STMicroelectronics и IBM объединят усилия для разработки новых технологий производства чипов
Соглашение предусматривает совместную работу по созданию 32-нм и 22-нм технологических норм для производства комплементарных металлооксидных полупроводников (КМОП) с применением 300-мм кремниевых пластин, а также исследования в области создания систем на кристалле (System-on-Chip, SoC), для чего будут созданы специальные рабочие группы.
Для разработки технологий производства КМОП ST создаст команду исследователей, работающих в центре IBM Semiconductor Research and Development Center, штат Нью Йорк. В то же время специалисты IBM на фабрике ST во Франции, выпускающей 300-мм кремниевые пластины, будут работать над развитием технологий «систем на кристалле» (в том числе встроенной памяти, компонентов analog/RF и пр., широко применяемых в системах беспроводной связи и бытовой электронике). В этих исследованиях будут задействованы и другие участники альянса IBM CMOS, заинтересованные в разработке технологий SoC. В дальнейшем компании намерены также сотрудничать с Европейским центром исследований в области микроэлектроники CEA-LETI (Гренобль, Франция).