Созданы первые транзисторы на базе нового конкурента графена

Объединенная команда ученых Технического университета Мюнхена (TUM), университета Регенсбурга (Германия) и двух американских университетов — Йельского и Южнокалифорнийского (USC), недавно разработавшая упрощенный способ синтеза нового уникального 2D-материала, черного фосфида мышьяка, сообщила в журнале Advanced Materials о создании первых полевых транзисторов на его основе.

Материалы были синтезированы Марианной Копф (Marianne Koepf) в лаборатории Группы синтеза и характеризации инновационных материалов TUM, а сами транзисторы изготовлены и протестировано группой профессора Чжоу (Chongwu Zhou) на факультете электротехники USC.

Величина зазора между зонами валентности и проводимости у AsP не фиксирована, как у других полупроводников, а зависит от концентрации мышьяка. «Это позволяет нам производить материалы с ранее недостижимыми электронными и оптическими свойствами в недоступном до сих пор энергетическом окне», — отметил профессор Том Найлджес (Tom Nilges), руководитель группы Синтеза и характеризации инновационных материалов. При концентрации мышьяка 83%, ширина запрещенной зоны крайне мала и составляет 0,15 эВ. Это соответствует длинноволновому ИК-излучению, весьма востребованному, например, в автомобильных датчиках приближения.