Создана самая быстрая микросхема 512Mb mobile DRAM

Hynix Semiconductor разработала самую малогабаритную и быструю микросхему мобильной динамической памяти емкостью 512 Mb. Представленный корейским чипмейкером продукт удовлетворяет стандартам JEDEC и функционирует на частоте 200 MHz.

Память монтируется в корпусе с посадочными размерами всего 8x10 мм и подходит для применения в особокомпактном оборудовании, таком как телефоны с DMB-приемниками. Используя 32 битовый интерфейс чип за секунду обрабатывает 1,6 GB данных (32x400 Mbps), что почти в 1,5 раза превышает возможности предыдущих продуктов Mobile DRAM этой компании.

В дальнейшем Hynix рассчитывает совместить 512Mb mobile DRAM и NAND Flash в мультичиповых модулях MCP, что должно еще более усилить позиции компании в секторе комплектующих для компактных и многофункциональных моделей мобильных телефонов.