Создана кремниевая память для будущих прозрачных телефонов

На общенациональной конференции Американского химического общества в Сан-Диего (штат Калифорния) Джеймс Тур (James Tour), профессор частного университета Уильяма Райса в Хьюстоне (штат Техас), сообщил о прогрессе в разработке гибкой прозрачной памяти. Такая память способна, по его словам, сделать реальностью, например, прозрачные сотовые телефоны, носимые в виде браслета.

В запоминающих устройствах, изготовленных в лаборатории университета, в качестве активного компонента применяется оксид кремния.

Принцип действия кремниевой памяти базируется на значительном открытии, сообщение о котором в 2010 г. заняло фронтальную полосу New York Times. Оказалось, что обычный оксид кремния, считавшийся изолятором и широко применявшийся в этом качестве в электронике, под действием сильного заряда формирует каналы из чистых кристаллов кремния толщиной менее 5 нм.

Начальный импульс напряжения выводит атомы кислорода из оксида, а затем импульсы меньшей амплитуды попеременно разрывают и замыкают цепь, превращая ее в энергонезависимую память. Слабые сигналы можно использовать для считывания состояния ячеек ЗУ без его изменения.

Вслед за этим в лабораториях университета Райса было создано действующее двухконтактное устройство памяти, которое можно составлять в объемные конфигурации и монтировать на гибкой подложке. Оно само по себе непрозрачно, а нужный эффект достигается за счет микроскопических размеров и низкой плотности размещения ячеек памяти. Кроме того, устройство может быть дополнено прозрачными электродами, разработанными в университете Райса для сенсорных экранов, а также прозрачными интегральными схемами и батареями, созданными в других лабораториях за последние годы.