Создан транзистор на базе нанотрубок с детализацией менее 10 нм

Совместными усилиями специалистов из нью-йоркского исследовательского центра IBM, университета Пердью (штат Индиана) и ETH Zurich (Швейцария) получен первый транзистор из углеродных нанотрубок (carbon nanotube — CNT) с длиной канала менее 10 нм. На такой уровень детализации электронная индустрия, по большинству прогнозов, должна выйти в следующие десять лет.

Уменьшение размеров современных кремний-металлоксидных (Si-MOS) полевых транзисторов приводит к потере ими способности управлять током (так называемый «эффект короткого канала»). По этой причине, участники исследования, описанного в новом выпуске журнала Nano Letters, решили отказаться от кремния совсем, сфокусировав внимание на одностенных углеродных нанотрубках.

Такие структуры уже несколько лет предлагались в качестве альтернативы кремнию ввиду их малой толщины (диаметр 1-2 нм) и отличных электрических свойств, однако команде из IBM впервые удалось воплотить эти преимущества в реальной конструкции CNT-транзистора с нормой менее 10 нм.