Создан самый быстрый чип магниторезистивной памяти

В университете Тохоку (Япония), исследовательская команда под руководством профессора Тетсуо Эндо (Tetsuo Endo), успешно разработала 128-мегабитный чип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM).

Это устройство предназначено для встраиваемых приложений, таких как кэш-память для IoT или AI. Обеспечиваемая им скорость записи 14 нс это на сегодняшний день самый высокий результат для встраиваемой памяти плотностью более 100 Мб.

STT-MRAM способна хранить записанную информацию при отключенном питании и считается следующим поколением технологии для основной, встраиваемой памяти и логики. Три крупных чипмейкера анонсировали планы начать массовое производство таких устройств в 2018 г.

Типичная ёмкость STT-MRAM составляет 8-40 Мб, и её требуется увеличить, чтобы сделать эту память более практичной. Японская команда добилась повышения плотности STT-MRAM путём интеграции магнитных туннельных переходов (MTJ) с КМОП.

Для уменьшения размеров ячейки памяти, MTJ формировали непосредственно в сквозных отверстиях, служащих для соединения различных слоёв полупроводниковых схем. Это также позволит дополнительно снизить энергопотребление основанных на STT-MRAM встраиваемых продуктов – кэш-памяти и eFlash.

Рекордное быстродействие на операциях записи (14 нс) было продемонстрировано экспериментальным чипом при рабочем напряжении 1,2 В. Этот результат, как считают исследователи, должен способствовать массовому распространению STT-MRAM в мире.