Создан лазерный диод с электронной накачкой для интеграции в микрочипы

Группа специалистов в области материаловедения из Университета Арканзаса, которую возглавлял профессор Фишер Ю (Shui-Qing «Fisher» Yu), продемонстрировала первый лазер с электрической накачкой на основе сплава германия и олова.

Этот перспективный полупроводниковый материал легко интегрируется в электронные схемы компьютерных чипов и может привести к созданию, легких и компактных оптоэлектронных компонентов — использующих свет для передачи информации. Лазерные диоды на его основе также способны улучшить быстродействие и снизить энергопотребление электронных схем, попутно уменьшив себестоимость их производства.

В лабораторных испытаниях, новый лазер продемонстрировал способность функционировать в импульсном режиме при температурах до 100 кельвин.

«Наши результаты это большое достижение для лазеров на основе элементов IV группы, — сказал Ю. — Они открывают многообещающий путь интеграции лазеров в кремний и могут стать важным шагом на пути к значительному совершенствованию схем для электронных устройств».

Это исследование спонсировало Управление научных исследований ВВС США. Статья о нем опубликована в журнале Optica.