Сопротивление открытого канала в МОП-транзисторах NXP меньше 0,001 Ом

Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске 15 новых устройств NextPower: полевых МОП-транзисторов (MOSFET) в корпусе LFPAK собственной разработки на 25 и 30 В. По заявлению производителя, они имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала RDS(on) – ниже 1 мОм. В устройствах NextPower компания NXP вместо традиционных подходов, которые концентрируются в основном на снижении сопротивления RDS(on) и заряда затвора Qg, использует технологию суперперехода (superjunction). Она позволяет добиться сбалансированного сочетания низкого сопротивления RDS(on) с низкими зарядами Qoss, Qg(tot) и Qgd, что обеспечивает отличные коммутационные характеристики и меньшие потери между выводами стока и истока, а также превосходную область безопасной работы (SOA). К тому же прочный корпус NXP LFPAK обеспечивает надежную коммутацию при небольших размерах посадочного места: 5 x 6 мм.

Подобные транзисторы в основном применяются в синхронных понижающих стабилизаторах, DC-DC преобразователях, модулях стабилизации напряжения и прочих аналогичных приложениях.