SK Hynix создала чип памяти LPDDR3 емкостью 8 Гб

Компания SK Hynix анонсировала первый в индустрии микросхемы памяти типа LPDDR3 (low power DDR3) емкостью 8 Гб. Чипы производятся по 20-нм техпроцессу, отличаются высокой производительностью и низким энергопотреблением, предназначены для смартфонов, планшетов и пр. мобильных устройств верхней ценовой категории.

Новые микросхемы обеспечивают скорость передачи данных 2133 Мб/с, что значительно выше стандартных показателей присутствующих на рынке конкурирующих решений (1600 Мб/с). При использовании 32-разрядной шины пропускная способность достигает 8,5 ГБ/с в одноканальном и 17 ГБ/с в двухканальном режиме. Рабочее напряжение микросхемы всего 1,2 В. На основе чипов памяти LPDDR3 высокой плотности можно создавать модули оперативной памяти емкостью до 4 ГБ.

Компания SK Hynix уже поставляет образцы новых чипов своим партнерам. Массовый выпуск начнется в конце 2013 г.