SK Hynix продемонструє GDDR7 зі швидкістю 35,4 Гбіт/с

За повідомленням SK Hynix, компанія планує представити на IEEE-SSCC 2024 розроблений нею чіп пам'яті GDDR7. Він здатний працювати на швидкості 35,4 Гбіт/с, що нижче, ніж 37 Гбіт/с, які демонструє Samsung, але за тієї ж щільності 16 Гбіт. Така щільність дає змогу розгорнути 16 ГБ відеопам'яті на 256-бітній шині пам'яті. Не всі графічні процесори нового покоління працюватимуть на максимальній швидкості 37 Гбіт/с, деякі можуть працювати на нижчих швидкостях пам'яті, і для них є відповідні варіанти в стеку продуктів SK Hynix. Як і Samsung, SK Hynix реалізує сигналізацію вводу-виводу PAM3 і власну архітектуру з низьким енергоспоживанням (хоча компанія не уточнює, чи схожа вона на чотири низькошвидкісні тактові стани, як у чипів Samsung).

GDDR7 домінуватиме в наступному поколінні відеокарт в ігровому і pro-відео сегментах, проте ринок процесорів AI HPC, як і раніше, значною мірою спиратиметься на HBM3E. SK Hynix запровадила інновації та тут: вона продемонструє новий дизайн стека HBM3E об'ємом 16 і 48 ГБ (384 Гбіт), який здатний забезпечити швидкість 1280 ГБ/с в одному стеку. Процесор, оснащений навіть чотирма такими стеками, матиме 192 ГБ пам'яті з пропускною спроможністю 5,12 ТБ/с. У стеку реалізовано нову конструкцію TSV (through silicon via) з повним енергоспоживанням і 6-фазну схему RDQS (read data queue strobe) для оптимізації площі TSV.

Повідомляється також, що SK Hynix уперше продемонструє стандарт пам'яті LPDDR5T (LPDDR5 Turbo), призначений для смартфонів, планшетів і тонких і легких ноутбуків. Цей чіп досягає швидкості передачі даних 10,5 ГБ/с на контакт при напрузі DRAM 1,05 В. Такі високі швидкості передавання даних можливі завдяки фірмовій технології зниження паразитної місткості та технології калібрування приймача зі зміщенням напруги.