SK hynix продемонструвала розробку 300-шарової 3D NAND

Як повідомляє Blocks & Files, компанія SK hynix на конференції ISSCC 2023 презентувала власну розробку: 300-шарову технологію 3D NAND, що може обробляти дані на рекордній швидкості 194 Гбіт/с.

 

У доповіді йде мова про те, що найбільш важливими темами для галузі NAND флешпам'яті є постійне підвищення продуктивності та зниження вартості біта. Щоб зменшити вартість біта, необхідно збільшувати кількість шарів, що укладаються в стек, і зменшувати крок між ними. Необхідно керувати зростаючим опором WL (wordline), що виникає при зменшенні кроку стеку.

 

Інженери SK hynix застосували п'ять нових методів для створення 300-шарової флешпам'яті 3D-NAND об'ємом 1 ТБ (3 біт на комірку):

 

- Технологію потрійної перевірки програми (triple verify program, TPGM) для підвищення продуктивності.

- Адаптивну технологію попереднього заряду рядків (AUSP) для зменшення часу програмування (tPROG).

- Метод запрограмованої фіктивної строки (PDS) використовується для скорочення часу осідання WL.

- Для зменшення часу зчитування (tR) використовується технологія всепрохідного підйому (APR),

- Технологія повторного зчитування на рівні площини (PLRR) використовується під час стирання для покращення QoS.

 

Схема TPGM зменшує tPROG за рахунок звуження розподілу порогової напруги комірки (VTH). Поточна схема програми подвійної перевірки SK hynix (DPGM) ділить комірки на три групи, в той час як TPGM класифікує комірки на чотири групи і, таким чином, краще управляє продуктивністю їх програми (запису). Це "призводить до скорочення часу виконання програми приблизно на 10%".

 

Техніка AUSP скорочує час виконання програми ще на 2%. Схема PDS сприяє цьому за рахунок зменшення ємнісного навантаження, що впливає на час встановлення рядка. Схема APR зменшує час реакції рядка на новий рівень напруги та покращує час зчитування на 2%.

 

Продукт з новою тенологією може з'явитися, за різними оцінками, наприкінці цього року або на початку наступного, і повинен дозволити створювати твердотільні накопичувачі більшої ємності в меншому фізичному просторі.