SK Hynix начала массовое производство памяти HBM2E

Компания SK Hynix официально объявила о выпуске чипов оперативной памяти с интерфейсом HBM2E (High Bandwith Memory 2).

Как отмечается, максимальная пропускная способность новых чипов DRAM составляет 460,8 ГБ/с, что выше имеющихся аналогов на рынке. Это достигается благодаря использованию шины в 1024 разрядов.

А с помощью технологии вертикального стекирования TSV (Through Silicon Via) удалось объединить восемь чипов емкостью 16 Гб, что более чем в два раза больше, чем в решениях предыдущего поколения (HBM2). При сравнении с ними, как сообщается, достигнуто повышение плотности почти на 30%, при уменьшении энергопотребления наполовину.

По заявлению компании, новые продукты нацелены на системы искусственного интеллекта, включая ускорители Deep Learning, а также платформы высокопроизводительных вычислений (HPC). Ожидается, что новые чипы будут востребованы при разработке экзаскалярных суперкомпьютеров нового поколения, когда вычислительные операции выполняются в одну квантильонную долю секунды.