SK hynix начала использовать EUV для производства чипов

Компания SK hynix объявила, что в июле начинает массовое производство 8-гигабитной мобильной DRAM типа LPDDR4 с использованием технологии 1anm, которая по ее заявлению, является четвертым поколением 10-нанометрового техпроцесса собственной разработки.

SK hynix планирует предоставить производителям смартфонов новейшую DRAM со второй половины 2021 года.

Отмечается, что SK hynix впервые применила оборудование EUV для массового производства после того, как убедилась в стабильности технологий литографии после частичного использования в своей технологии производства 1anm DRAM.

Отраслевые эксперты считают, что лидерство полупроводниковой компании в технологиях будет зависеть от того, как она сможет в полной мере использовать преимущества оборудования EUV. SK hynix планирует внедрять технологию EUV для производства всех своих продуктов DRAM 1anm в будущем, поскольку процесс уже апробирован.

SK hynix ожидает, что новая технология приведет к повышению производительности и дальнейшему повышению конкурентоспособности в ценовом аспекте. Компания сообщает, что технология 1anm приведет к увеличению на 25% выхода микросхем с одной пластины по сравнению с 1znm.

Также сообщается, что новый продукт стабильно работает со скоростью 4266 Мбит/с, что является самой высокой скоростью передачи в стандартной спецификации мобильной DRAM LPDDR4. В новых решениях также снижено энергопотребление на 20%.