Sharp закладывает основы энергонезависимой памяти нового типа

Корпорация Sharp разработала High-Speed Unipolar Switching - базовую технологию для нового типа памяти, под названием RRAM, способного работать примерно в 100 раз быстрее флэш-памяти. Механизм записи информации в RRAM основан на изменении электрического сопротивления в пленке оксида металла -- он отличается высоким быстродействием и малым потреблением энергии. Тем не менее, детали процесса изменения сопротивления до сих пор остаются неясными, и ученым пока не удается создать устройства, полностью реализующие преимущества этого метода.

В своем исследовании, проводимом при участии организации AIST, Sharp сосредоточила внимание на прежде не контролировавшихся параметрах резистора, которые принимают различные значения при записи информации в памяти и ее стирании.

В результате и была создана технология High-Speed Unipolar Switching, которая позволила обходиться для сохранения и удаления данных одним источником тока вместо ранее требовавшихся двух -- разной полярности. Результатом стало значительное упрощение записи-перезаписи RRAM и ответственных за это электронных схем, а также возможность дальнейшего уменьшения размеров ячеек памяти.

Помимо скорости и экономичности работы преимуществом RRAM является возможность использования для производства уже имеющихся технологических КМОП-процессов. Sharp планирует продолжить совершенствований всех аспектов новой памяти с целью создания предпосылок для ее скорейшего практического внедрения.