Сбой в энергосети лишил Samsung 10-й доли выпускаемой памяти NAND

Последствия перебоя в подаче электроэнергии на заводе компании Samsung в г. Пхёнтек (Южная Корея) не ограничились 30-минутной остановкой производства. Вызванные инцидентом нарушения режима температурной обработки необратимо повредили десятки тысяч готовых чипов флэш-памяти NAND.

Согласно сообщениям азиатской прессы, всего было испорчено от 50 до 60 тыс. пластин V-NAND (3D), что составляет примерно 11% ежемесячного объёма выпуска такой продукции компанией Samsung.

На мировом рынке флэш-памяти NAND происшествие отразится уменьшением предложения на 3,5% в текущем месяце, но вряд ли вызовет рост потребительских цен, как если бы это случилось с оперативной памятью. Чипы V-NAND в основном используются во флэш-накопителях, доля которых в ПК в сравнении с жёсткими дисками пока незначительна.

Кроме того, бизнес NAND развивается циклично, и похоже что сбой пришёлся на период относительного затишья после запуска Galaxy S9, что также уменьшит долгосрочный эффект от аварии.