SanDisk начинает выпуск флэш-памяти MLC NAND по 43-нм техпроцессу

7 февраль, 2008 - 12:49

На конференции ISSCC 2008 компании SanDisk и Toshiba представили доклад о технических новациях, реализованных в 16-гигабитных микросхемах флэш-памяти NAND с 43-нанометровой детализацией. Они также объявили о начале промышленного производства MLC-чипов флэш-памяти NAND по 43-нм техпроцессу на заводе Yokkaichi Operations, расположенном недалеко от г. Нагоя (Япония). Вначале 43-нм технология будет внедрена на недавно открытой производственной линии Fab 4, а во второй половине 2008 г. – развернута и на мощностях Fab 3.

Переход на новый техпроцесс позволит вдвое увеличить плотность транзисторов в чипе (по сравнению с 56-нанометровой технологией), повысить надежность и производительность, а также снизить стоимость микросхем. SanDisk намерена начать поставки флэш-компонентов MLC NAND емкостью 16 Гб во II квартале 2008 г., а 32-гигабитных – во 2-й половине года.

Кроме того, SanDisk планирует в марте-апреле 2008 г. начать промышленное производство 56-нанометровой флэш-памяти x3 NAND со скоростью записи 8 Мб/с. Технология x3 (3-bits-per-cell), которая позволяет сохранять три бита информации в одной ячейке, разрабатывалась в сотрудничестве SanDisk и Toshiba. На стандартной пластине, произведенной по 56-нм техпроцессу, x3 NAND-микросхем умещается на 20% больше, чем обычных MLC NAND-чипов. Внедрение x3 обеспечит дальнейший рост эффективности производства и удешевление элементов памяти.