SanDisk демонстрирует 128 Гб NAND-память, выполненную по 19-нм техпроцессу

На конференции разработчиков электронных микросхем ISSCC 2012 компания SanDisk планирует продемонстрировать 128 Гб чип памяти типа NAND, произведенный по 19-нм техпроцессу.

Чип площадью 170 мм² является монолитным устройством, способным хранить в одной ячейке памяти 3 бита информации, и на сегодняшний день обладает наивысшей в индустрии плотностью хранения. При этом скорость записи составляет 18 МБ в секунду, а чтения — 400 Мб в секунду.

Как подчеркивают в SanDisk, новая технология, позволяющая размещать в одной ячейке 3 бита информации, будет востребована при производстве материнских плат и твердотельных жестких дисков. Компания полагает, что в 2012 г. можно ожидать рост производства NAND памяти по 19-нм техпроцессу, в 2013 г. — удешевления микросхем памяти емкостью 128 Гб в связи с переходом на 1Y-нм технологии. Вероятно, уже в конце 2014 г. начнется производство монолитных образцов 256 Гб памяти по 1Z-нм процессу.