Samsung уже готовит производство чипов по технологии 3 нм

На специальном мероприятии Samsung Foundry Forum (SFF) 2018 USA компания представила обновленные планы развития своего производства полупроводников.

Давление со стороны конкурентов и прежде всего TSMC заставляет Samsung очень интенсивно проводить разработки и запуск новых производственных линий.

Технологический процесс 7LPP (7nm Low Power Plus) с детализацией 7 нм будет запущен уже во второй половине нынешнего года. А весной 2019 г. это производство, в котором будут использоваться сканеры EUV с длиной волны 13,5 нм, уже выйдет на полную мощность.

Компания не будет развивать процессы 6LPP и 5LPP, как сообщалось ранее, а перейдет сразу к технологии 5LPE (5nm Low Power Early), а следом и к 4LPE. Согласно некоторым источникам, детализация 4 нм должна появиться у Samsung уже в 2020 г.

После этого должен быть осуществлен переход на технологию 3 нм, будут использованы процессы 3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus). На этом этапе уже нельзя будет использовать технологию FinFET, производитель перейдет на MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). Выпущенные на ее базе чипы поступят на рынок не ранее 2022 года.