Samsung сделает DIMM-модули еще компактнее и быстрее

Samsung Electronics анонсировала MCP-модуль оперативной памяти емкостью 2 Gb, полученный наложением четырех 512-мегабитовых кристаллов DDR2 DRAM, соединяющихся между собой с помощью "сквозной" технологии TSV (Through Silicon Via).

Технология Samsung позволяет формировать в материале кремниевой подложки вертикальные отверстия микронного диаметра, заполненные медью. Они служат для соединения микросхем между собой вместо применявшихся до этого проводников по краям каждой подложки и устраняют необходимость в зазоре между совмещенными чипами.

Подобные модули - Wafer-level-processed Stacked Package (WSP), по мнению представителей корейской компании, вскоре приведут к появлению более быстрой, компактной и экономичной памяти.