Samsung приступила к массовому производству 3D V-NAND

Флэш-память 3D V-NAND (3D Vertical NAND) использует разработанную Samsung вертикальную структуру ячеек, основанную на технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных связях. Ячейки могут образовывать до 24 слоев, что позволяет добиться по крайней мере вдвое более высокой плотности по сравнению с плоской флэш-памятью класса 20 нм. Первые чипы имеют емкость 128 Гб.

Организация памяти в трехмерные слои с использованием CTF обеспечивает и другие преимущества. Долговечность 3D V-NAND от двух до десяти раз превосходит показатели 10 нм флеш-памяти с плавающим затвором, при этом производительность записи выше вдвое.

3D V-NAND представляет собой результат 10 лет исследований Samsung, соответствующие технологии защищены более чем 300 патентами.