`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung приступила к массовому производству 3D V-NAND

Samsung приступила к массовому производству 3D V-NAND

Флэш-память 3D V-NAND (3D Vertical NAND) использует разработанную Samsung вертикальную структуру ячеек, основанную на технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и вертикальных связях. Ячейки могут образовывать до 24 слоев, что позволяет добиться по крайней мере вдвое более высокой плотности по сравнению с плоской флэш-памятью класса 20 нм. Первые чипы имеют емкость 128 Гб.

Организация памяти в трехмерные слои с использованием CTF обеспечивает и другие преимущества. Долговечность 3D V-NAND от двух до десяти раз превосходит показатели 10 нм флеш-памяти с плавающим затвором, при этом производительность записи выше вдвое.

3D V-NAND представляет собой результат 10 лет исследований Samsung, соответствующие технологии защищены более чем 300 патентами.

Все про современные облачные технологии!
Не пропустите очередную сессию докладов на онлайн-конференции Google Cloud Next '20 OnAir, которая проходит до 30 октября!

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT