Samsung представила технологию, которая придет на смену флеш-памяти NOR

Samsung Electronics сегодня на пресс-конференции в Сеуле продемонстрировала рабочие прототипы микросхем памяти, которая в ближайшие годы сменит NOR-флеш. Технология использует эффект изменения фазового состояния вещества и получила название Phase-change Random Access Memory (PRAM).

Samsung показала образец емкостью 512 Mb памяти, которая уже получила название perfect RAM в силу того, что обладает более высокими показателями, как по производительности, так и масштабируемости архитектуры, по сравнению с другими типами энергонезависимой памяти.

По заявлению представителей Samsung, PRAM в 30 раз более быстрая и имеет срок службы в 10 раз дольше, чем традиционная флеш-память, благодаря тому, что перед записью нет необходимости вычищать ячейки.

Коммерческие образцы PRAM должны появится в 2008 г.