`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung представила SSD на базе V-NAND шестого поколения с 136-слойной структурой

+11
голос

Samsung представила SSD на базе V-NAND шестого поколения с 136-слойной структурой

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе 256-гигабитных V-NAND модулей шестого поколения из более чем 100 слоев трехбитных ячеек. 
 
Как отмечается, на создание нового поколения V-NAND Samsung потребовалось всего 13 месяцев – таким образом, компания сократила производственный цикл на четыре месяца, при этом выпустив самые производительные, энергоэффективные и более простые в производстве модули.
 
Samsung уверяет, что ее V-NAND модули шестого поколения отличаются самой высокой в отрасли скоростью передачи данных, демонстрируя производственное преимущество компании, которое выводит 3D-память на новый уровень.
 
Благодаря уникальной технологии «травления каналов», новые V-NAND кристаллы получили примерно на 40% больше ячеек, чем одноблочные 9x-модули памяти предыдущего поколения. Это достигается путем формирования электропроводящей 136-слойной структуры, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху вниз, в результате чего образуются однородные трехмерные ячейки с технологией ловушки снаряда (charge trap flash, CTF).
 
По мере увеличения высоты матрицы в каждой ячейке флеш-чипы NAND становятся более подвержены ошибкам и задержкам чтения. Для преодоления этого ограничения Samsung внедрила оптимизированную по скорости конструкцию схемы, которая позволяет достигать максимальной скорости передачи данных: менее 450 микросекунд (мкс) для операций записи и менее 45 мкс для операций чтения. По сравнению с предыдущим поколением новая конструкция обеспечивает повышение производительности более чем на 10% и снижение энергопотребления более чем на 15%.
 
Благодаря оптимизированному дизайну решения V-NAND следующего поколения смогут получить более 300 слоев, сочетая три ячейки шестого поколения без ущерба для производительности или надежности чипа.
 
Кроме того, для создания чипа плотностью 256 Гб нового поколения необходимо всего 670 млн сквозных каналов, по сравнению с 930 млн в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20%.
 
Используя функции с высокой скоростью и малой мощностью, Samsung намерена не только расширить возможности использования своих 3D V-NAND-решений в таких типах устройств, как мобильные гаджеты и корпоративные серверы, но и вывести их на автомобильный рынок, где высокая надежность имеет ключевое значение.
 
В планы Samsung, после выпуска 250-гигабайтных SSD, входит вывод на рынок 512-гигабитных трехбитных V-NAND SSD и eUFS во втором полугодии. Компания также намерена расширить производство мощных высокоскоростных V-NAND-решений шестого поколения на заводе в Пхёнтэке, Корея, начиная со следующего года.

Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT