`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung представила новую технологию создания радиочастотных модулей 5G на базе 8 нм

0 
 

Samsung представила новую технологию создания радиочастотных модулей 5G на базе 8 нм

Samsung Electronics представила новейшую радиочастотную технологию на базе 8-нанометрового техпроцесса.

Как отмечается, новая технология производства подойдет для создания «однокристальных решений», в частности, чипов 5G с поддержкой многоканальных и многоантенных микросхем. Благодаря этому Samsung расширяет лидирующие позиции на рынке как на 5G-полупроводниковые решения для диапазона Sub-6, так и миллиметрового диапазона (mmWave).

Также подчеркивается, что 8-нанометровый технологический техпроцесс для радиомодулей, представленный Samsung — последнее пополнение обширного портфолио радиочастотных решений компании, которое также включает 28-нм и 14-нм разработки. Компания Samsung удерживает лидерство в этой области, благодаря поставкам более 500 миллионов радиочастных микросхем для премиальных смартфонов начиная с 2017 года.

Благодаря продолжающемуся масштабированию и расширению цифровых узлов производительность, энергопотребление и площадь (PPA) цифровых схем значительно улучшились, тогда как в случае с аналоговыми / радиочастотными микросхемами этого не произошло по таким причинам, как негативное взаимное влияние побочного излучения элементов при уменьшении размеров радиоэлектронных модулей. В результате, у большинства чипов связи ухудшаются радиохарактеристики, в частности, уменьшается чувствительность, способность принимать слабые по интенсивности радиосигналы и повышается энергопотребление.

Для решения этой проблемы Samsung разработала уникальную архитектуру для 8-нм радиочипов, под названием RFextremeFET (RFeFET). Она позволяет существенно улучшить показатели и снизить потребление энергии. По сравнению с предыдущими 14-нм решениями, RFeFET сочетает цифровое PPA-масштабирование с повышением качества аналогового/RF-масштабирования, благодаря чему растет производительность 5G-платформ.

Разработанный компанией процесс повышает параметры каждого из поддерживаемых частотных диапазонов (для многоканальных и многоантенных решений), при этом сокращая негативное взаимное побочное влияние. Поскольку архитектура RFeFET значительно повышает производительность решения, то суммарное количество радиотранзисторов и площадь аналоговых радиоблоков могут быть уменьшены.

По сравнению с 14 нм, благодаря разработке решение 8 нм Samsung повышает энергоэффективность на 35% и сокращает площадь радиочастотного модуля на 35%.

Вы можете подписаться на нашу страницу в LinkedIn!

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT