`

Schneider Electric - Узнайте все про энергоэффективность ЦОД


СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Samsung представила чипы DRAM самой высокой емкости

0 
 
Samsung представила чипы DRAM самой высокой емкости

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем DRAM памяти самой высокой емкости, предназначенных для мобильных устройств. Новая разработка представляет собой первый в отрасли 12 ГБ модуль с пониженным энергопотреблением, выполненный в корпусе LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимизированном для будущих смартфонов премиум-класса.

«С началом массового производства микросхем LPDDR4X Samsung сформировала комплексную линейку современной памяти для новой эры смартфонов: начиная с мобильной DRAM памяти емкостью 12 ГБ и заканчивая 512 ГБ накопителями eUFS 3.0», — говорит Севун Чунь (Sewon Chun), исполнительный вице-президент по маркетингу технологий памяти в Samsung Electronics. — «Более того, с выпуском LPDDR4X мы укрепляем наши позиции в качестве производителя мобильной памяти премиум-класса, которая обладает всеми возможностями для удовлетворения быстро растущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».

Благодаря 12 ГБ мобильной DRAM памяти производители смартфонов смогут максимально расширить потенциал своих устройств, которые все чаще оснащаются большим числом камер, увеличенным экраном, поддерживают работу с технологиями искусственного интеллекта и сетями 5G. Что касается пользователей смартфонов, то новый вид памяти позволит быстрее переключаться между многочисленными приложениями на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Поскольку память выполнена в корпусе высотой всего 1,1 мм, новые смартфоны могут стать еще тоньше и изящнее.

Модули емкостью 12 ГБ были получены благодаря объединению шести 16-гигабитных чипов LPDDR4X второго поколения, выполненных по техпроцессу 10-нм класса (1y-nm), в едином корпусе, что увеличивает пространство для аккумулятора смартфона. Кроме того, фирменная технология 1y-nm обеспечивает скорость передачи данных на уровне 34,1 ГБ/с, при этом сокращая рост энергопотребления, обусловленного увеличением емкости DRAM.

Производитель отмечает, что с момента выпуска мобильной DRAM памяти емкостью 1 ГБ в 2011 году компания увеличивает емкость запоминающих устройств, предлагая модули емкостью 6 ГБ (в 2015 году) и 8 ГБ (в 2016 году).

Samsung намерена нарастить мощности своей ультрасовременной производственной линии в корейском Пьйонгтэке (Pyeongtaek) и планирует в течение второй половины 2019 года более чем втрое увеличить поставки модулей мобильной DRAM памяти емкостью 8 ГБ и 12 ГБ, выполненной по техпроцессу 10 нм. Стоит напомнить, что первые чипы емкостью 1 ГБ компания начала выпускать в 2009 г. по технологии 50 нм.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT